دیتاشیت SIHG30N60E-GE3
مشخصات دیتاشیت
نام دیتاشیت |
SIHG30N60E-GE3
|
حجم فایل |
174.272
کیلوبایت
|
نوع فایل |
pdf
|
تعداد صفحات |
8
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Vishay Intertech SIHG30N60E-GE3
-
Power Dissipation (Pd):
250W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
600V
-
Continuous Drain Current (Id):
29A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4V@250uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
125mΩ@10V,15A
-
Package:
TO-247AC-3
-
Manufacturer:
Vishay Intertech
-
Part id:
436851